类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：18A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻RDS(on)：0.085Ω @ VGS = 10V
　　导通电阻RDS(on)：0.11Ω @ VGS = 4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1000pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：375pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：58ns
　　最大功耗（PD）：90W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFY340的核心特性之一是其优化的导通电阻与电流处理能力之间的平衡，这使得它在中等电压开关应用中表现优异。该器件的典型RDS(on)为85mΩ，在VGS=10V条件下可确保较低的导通损耗，从而提升系统效率。当驱动电压降低至4.5V时，RDS(on)上升至110mΩ，仍能保持良好的性能，说明其对逻辑电平驱动具有一定的适应性。这种特性使IRFY340不仅适用于基于专用驱动器的系统，也可用于由微控制器直接驱动的低功耗控制电路中。此外，其高达18A的连续漏极电流能力，配合72A的脉冲电流承受能力，使其能够应对瞬态过载或启动冲击电流较大的应用场景，例如电机启动或电容充电过程。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。得益于较小的输入和输出电容（Ciss=1000pF，Coss=375pF），IRFY340在高频开关操作中表现出较低的驱动功率需求和更快的电压建立速度。这对于提高DC-DC转换器或开关电源的工作频率、减小磁性元件体积具有重要意义。同时，其反向恢复时间（trr）为58ns，表明体二极管的恢复行为相对较快，有助于减少交叉导通损耗，尤其是在半桥或同步整流拓扑中。
　　IRFY340还具备良好的热稳定性与可靠性。TO-220AB封装提供了较大的散热面积，配合适当的散热片可有效降低热阻，确保长时间高负载运行下的结温处于安全范围。该器件支持高达175°C的最大结温，具备较强的环境适应能力，适合在高温工业环境中使用。此外，其经过测试具备单脉冲雪崩能量耐受能力，能够在电压击穿或感性负载突变时吸收一定能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性。综合来看，IRFY340凭借其低RDS(on)、高电流能力、良好开关特性和可靠封装，成为众多功率MOSFET应用中的优选器件。

IRFY340广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效、高电流开关能力的场合。在开关电源（SMPS）设计中，常用于初级侧或次级侧的开关元件，特别是在反激式或正激式拓扑中作为主开关或同步整流器使用，以降低导通损耗并提高整体能效。在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是升降压（Buck-Boost）结构，IRFY340都能胜任高侧或低侧开关的角色，尤其在中等功率等级（如数十瓦至百瓦级）系统中表现稳定。
　　在电机控制领域，IRFY340常用于直流电机的H桥驱动电路中，作为四个桥臂中的开关元件之一，实现正反转与调速功能。其高电流承载能力和快速响应特性，使其能够满足电机启动瞬间的大电流需求，并通过PWM信号精确调节转速。此外，在步进电机驱动器或伺服控制系统中，也可用作功率输出级，配合栅极驱动IC实现精确控制。
　　该器件还常见于逆变器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及照明镇流器等设备中。例如，在太阳能微逆变器中，IRFY340可用于MPPT（最大功率点跟踪）电路中的开关单元；在电池充放电管理模块中，可作为充放电通路的控制开关，防止反向电流或过流情况发生。此外，由于其具备一定的雪崩耐量，也适用于继电器替代、固态开关、电磁阀驱动等工业控制场景。总之，IRFY340凭借其可靠的电气性能和广泛的适用性，已成为许多嵌入式功率系统中的核心组件之一。

IRFZ34N,IRL340P,STP18NF60,SPB18N60C3,FQP34N06