IRFUC20PBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-264-3封装。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻以及快速开关特性的电路中,例如电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等场景。其设计目标是提供卓越的性能与可靠性,同时降低功耗。
该器件具有极低的导通电阻和较高的漏源电压耐受能力,能够在高频条件下保持良好的热稳定性和电气特性。
最大漏源电压:100V
最大连续漏电流:15A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):1.8mΩ
总栅极电荷(Qg):79nC
输入电容:3030pF
输出电容:1550pF
反向恢复时间:15ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关特性,适合高频应用环境。
3. 采用了先进的工艺技术以优化热性能和电气性能。
4. 具备较强的雪崩能力和鲁棒性,可在恶劣条件下正常运行。
5. 封装形式为TO-264-3,具有良好的散热性能和机械强度。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 逆变器和UPS系统
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 汽车电子领域中的负载切换和保护电路
7. 大功率LED驱动及照明解决方案
IRFP260N
STP17NF50
IXFN50N50T
FDP16N50