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IRFUC20PBF 发布时间 时间:2025/5/10 12:37:56 查看 阅读:6

IRFUC20PBF 是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,采用TO-264-3封装。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻以及快速开关特性的电路中,例如电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等场景。其设计目标是提供卓越的性能与可靠性,同时降低功耗。
  该器件具有极低的导通电阻和较高的漏源电压耐受能力,能够在高频条件下保持良好的热稳定性和电气特性。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏电流:15A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  总栅极电荷(Qg):79nC
  输入电容:3030pF
  输出电容:1550pF
  反向恢复时间:15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低导通损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关特性,适合高频应用环境。
  3. 采用了先进的工艺技术以优化热性能和电气性能。
  4. 具备较强的雪崩能力和鲁棒性,可在恶劣条件下正常运行。
  5. 封装形式为TO-264-3,具有良好的散热性能和机械强度。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 逆变器和UPS系统
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  6. 汽车电子领域中的负载切换和保护电路
  7. 大功率LED驱动及照明解决方案

替代型号

IRFP260N
  STP17NF50
  IXFN50N50T
  FDP16N50

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IRFUC20PBF参数

  • 数据列表IRF(R, U)C20PBF
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装TO-251AA
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFUC20PBF