时间：2025/4/29 15:45:20
阅读：18
IRFU9N20DPBF是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK封装形式。该器件适用于高效率、高频开关应用场合，如开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其工作电压高达200V，能够承受较高的漏源极电压，并且具有较低的导通电阻，从而有效减少传导损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：7nC
开关频率：高达500kHz
封装形式：DPAK (TO-252)
IRFU9N20DPBF具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，漏源极电压为200V，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下仅为0.18Ω，可降低导通损耗。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷（Qg=7nC），有助于实现高频开关操作。
4. 热性能优越，DPAK封装设计有助于高效散热。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 逆变器
5. 负载切换和保护电路
6. 各类工业及消费电子中的功率管理模块
IRF9N20Z, IXTA26N20P4, STP13NF06
