类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：200V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：8.0A
　　导通电阻 Rds(on)：0.35Ω（最大值）
　　功耗（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB

IRFU630 的核心优势在于其出色的导通性能和耐压能力。该器件的漏源电压（Vds）可达 200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的开关应用。其栅源电压（Vgs）范围为 ±20V，具备较强的抗过压能力，同时在驱动设计上具有较高的灵活性。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流（Id）为 8.0A，在实际应用中可满足大多数中等功率电源转换器的需求。其导通电阻（Rds(on)）最大为 0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的功耗（Ptot）为 50W，结合良好的散热设计，可在较高负载下稳定运行。
　　IRFU630 的封装形式为 TO-220AB，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于大多数 PCB 设计。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，能够在恶劣的环境条件下保持可靠运行，适用于工业级和汽车电子系统。
　　该 MOSFET 还具备较高的开关速度，适用于高频开关应用，能够有效减少开关损耗。同时，其良好的热稳定性使其在高温环境下仍能保持稳定性能，避免因温度升高而导致的性能下降或器件损坏。

IRFU630 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、LED 照明驱动器、负载开关和工业控制系统等领域。其高电压和中等电流能力使其特别适合于需要中等功率输出的电源转换应用。
　　在开关电源中，IRFU630 可作为主开关器件，用于实现高效的能量转换。在 DC-DC 转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现不同电压等级的转换。在电机驱动应用中，该器件可用于控制电机的启停和转速，适用于小型电动工具、风扇和泵等设备。
　　此外，IRFU630 还可用于电池管理系统中的充放电控制电路，确保电池在安全范围内运行。在 UPS 系统中，该 MOSFET 可作为逆变器的开关元件，提供稳定的电源输出。在 LED 照明驱动器中，它可用于实现恒流控制，提高照明系统的稳定性和寿命。
　　由于其封装形式和电气性能的兼容性，IRFU630 也常用于各种工业控制系统中，如继电器驱动、负载切换和电源管理模块等。在汽车电子领域，该器件可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）和车灯控制模块等应用。

IRF630、IRFZ44N、STP8NK50Z、FDPF6N60