IRFU48Z 时间：2025/12/26 19:15:06 阅读：12

IRFU48Z是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效功率切换的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，能够在高效率和低导通损耗之间实现良好平衡。IRFU48Z特别适用于中等功率水平的应用场合，因其具备较低的栅极电荷和导通电阻，有助于减少开关损耗并提升整体系统能效。该MOSFET封装在TO-220AB或类似的通孔封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以应对较高功耗环境。由于其可靠的性能和成熟的制造工艺，IRFU48Z在工业控制、消费电子和电源管理系统中得到了广泛应用。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适合用于存在感性负载或电压尖峰风险的应用场景。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：60 V
　　最大漏极电流（Id）：34 A
　　导通电阻Rds(on)：18 mΩ @ Vgs=10V, Id=17A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　功耗（Pd）：94 W
　　输入电容（Ciss）：1350 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：475 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：32 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRFU48Z的核心特性之一是其低导通电阻Rds(on)，典型值仅为18 mΩ，在60V N沟道MOSFET中属于较低水平，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。该特性尤其适用于大电流应用，如同步整流、电池供电系统和H桥驱动电路，能够有效减少发热并提高能量利用率。此外，低Rds(on)还意味着在相同电流条件下可以使用更小尺寸的散热装置，从而节省空间并降低成本。器件的高电流承载能力（连续漏极电流达34A）使其适用于高负载瞬态响应要求的应用，例如电动工具驱动器或电源模块中的主开关元件。
　　另一个关键特性是其优化的开关性能。IRFU48Z具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这减少了驱动电路所需的能量，并加快了开关速度，从而降低开关过程中的动态损耗。这对于高频开关应用（如开关模式电源SMPS和DC-DC变换器）尤为重要，因为它有助于提升转换效率并减少电磁干扰（EMI）。同时，该器件具备良好的热稳定性，结温可达175°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。内置的雪崩能量保护能力使IRFU48Z能够承受一定的电压过冲和感性负载突变，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。此外，TO-220封装提供了良好的热传导路径，便于通过PCB铜箔或外部散热器进行热量管理，进一步提升了长期工作的可靠性。

应用

IRFU48Z常被用于多种中高功率电子系统中，作为主开关或同步整流器件。在开关电源（SMPS）设计中，它可用于降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）拓扑结构中，承担能量传递和电压调节功能，尤其是在24V或48V工业电源系统中表现优异。在DC-DC转换器模块中，该MOSFET可作为高端或低端开关，利用其低导通电阻和快速开关特性实现高效率的能量转换，适用于通信设备、嵌入式系统和服务器电源单元。此外，IRFU48Z也广泛应用于电机控制领域，包括直流电机驱动、步进电机控制器和电动执行机构，其中其高电流能力和快速响应特性有助于实现精确的速度和扭矩控制。在电池管理系统（BMS）或便携式电源设备中，该器件可用作充放电开关或负载开关，提供低损耗的通断控制。其他应用场景还包括逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各类工业自动化设备中的功率切换模块。得益于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，IRFU48Z也能适应恶劣的工业环境，如高温车间或户外控制系统。