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IRFU4620PBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:42:05 查看 阅读:17

IRFU4620PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他高效率功率转换电路中。该器件采用TO-252表面贴装封装形式,具备低导通电阻和快速开关性能的特点,适用于中小功率应用场合。
  该器件通过优化的芯片设计和制造工艺,在保证高效能的同时还具有较高的耐用性和可靠性。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:7.9A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:11nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-252
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRFU4620PBF采用了先进的功率MOSFET技术,具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在较低的工作电压下可以有效减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度,使其适合高频开关应用,从而提高了整体系统效率。
  3. 高击穿电压(100V)和较大的漏极电流能力(7.9A),确保了其在多种负载条件下的稳定运行。
  4. 表面贴装封装形式(TO-252),便于自动化生产和组装,同时提供了良好的散热性能。
  5. 工作温度范围宽广(-55℃至175℃),能够在极端环境下保持稳定性能。

应用

IRFU4620PBF适用于多种功率转换和控制场景,具体包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. 电机驱动器中的功率级,用于控制电机的速度和方向。
  3. 逆变器和不间断电源(UPS)中的关键功率转换元件。
  4. 各种工业控制和消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  由于其高效的性能和可靠的特性,这款MOSFET在中小功率应用领域表现出色。

替代型号

IRLZ44N
  SI4870DY
  FDP17N10Z

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IRFU4620PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C78 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1710pF @ 50V
  • 功率 - 最大144W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件