IRFU421 时间：2025/12/26 21:07:48 阅读：8

IRFU421是一款由英飞凌（Infineon）科技公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电机控制和开关电路中。该器件采用先进的沟槽栅技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。IRFU421适用于多种工业、消费类电子及汽车电子系统中的高效能功率转换需求。其封装形式通常为TO-220AB或类似的通孔封装，便于安装在散热器上以实现良好的热管理。这款MOSFET设计用于在高频率下工作，能够有效降低开关损耗，提高整体系统效率。由于其优异的电气性能和可靠性，IRFU421常被用于DC-DC转换器、逆变器、电池管理系统以及各种类型的电源开关应用中。此外，该器件还具备较强的抗雪崩能力和过温保护特性，在恶劣的工作环境下仍能保持稳定运行。对于需要高电流处理能力与低功耗表现的应用场景来说，IRFU421是一个理想的选择。

参数

型号：IRFU421
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：38A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：150A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V, ID=19A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V, ID=19A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：2070pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：640pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：50ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

IRFU421采用先进的沟道设计和制造工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在大电流应用中能够显著减少传导损耗，从而提升系统的整体能效。其典型导通电阻仅为28mΩ（在VGS=10V时），这意味着在相同电流条件下，器件产生的热量更少，有助于延长使用寿命并降低对散热系统的要求。该MOSFET支持高达38A的连续漏极电流和150A的脉冲电流，展现出卓越的电流承载能力，适合用于高功率密度的设计场景。
　　该器件具有快速的开关响应特性，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使其能够在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流、DC-DC变换器和H桥驱动电路中可实现高效的能量转换。同时，IRFU421具备良好的热稳定性，其最大工作结温可达175°C，并且封装设计有利于热量传导至外部散热装置，进一步增强了其在高温环境下的可靠性。
　　IRFU421还具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态过压事件中提供一定程度的自我保护，避免因电压尖峰导致的永久性损坏。这一特性对于电机驱动和感性负载切换等易产生反电动势的应用尤为重要。此外，其栅极耐压可达±20V，提供了足够的驱动兼容性，适用于多种常见的驱动IC和控制电路。综合来看，IRFU421以其高性能、高可靠性和广泛的适用性，成为众多中低压功率应用中的优选器件。

应用

IRFU421广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压与降压转换器、电池供电设备中的电源管理模块、电机驱动电路（如直流电机、步进电机控制）、逆变器系统（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、LED照明驱动以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通损耗，特别适合用于便携式设备和高效率电源设计中。此外，在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、风扇控制、灯光调节等子系统，满足严苛的环境要求。