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IRFU4105PBF 发布时间 时间:2025/6/21 0:44:13 查看 阅读:3

IRFU4105PBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263(D2PAK)封装,广泛应用于各种开关电源、电机驱动、负载切换等电路中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率转换应用的理想选择。
  IRFU4105PBF的设计特点在于能够承受较高的漏源电压(Vds),同时保持较低的导通电阻(Rds(on)),从而实现更高的效率和更低的功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:48A
  导通电阻:2.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:78nC(典型值)
  输入电容:2350pF(典型值)
  总功耗:160W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRFU4105PBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中减少功耗。
  2. 高额定漏极电流,适合大功率应用场景。
  3. 优化的栅极电荷设计,提高开关速度并降低开关损耗。
  4. 良好的热性能,适用于长时间高温运行环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. TO-263封装形式,易于安装和散热管理。

应用

IRFU4105PBF广泛用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
  3. 电机驱动控制电路。
  4. 汽车电子系统中的负载切换。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 大功率LED驱动电路。

替代型号

IRFZ44N, IRFP250N

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IRFU4105PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds700pF @ 25V
  • 功率 - 最大68W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU4105PBF