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IRFU3709ZPBF 发布时间 时间:2025/4/29 15:02:07 查看 阅读:2

IRFU3709ZPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的Trench技术制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于要求高效率和高可靠性的应用场合。其封装形式为PQFN5x6-28L,适合紧凑型设计需求。
  IRFU3709ZPBF通常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机驱动以及其他功率管理电路中,能够显著降低功耗并提升系统性能。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:34A
  导通电阻:1.3mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷:10nC(典型值)
  输入电容:1050pF(典型值)
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRFU3709ZPBF具备以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流应用中显著减少功耗。
  2. 高度优化的开关性能,支持高频操作,从而减小无源元件尺寸。
  3. 先进的封装技术(PQFN5x6-28L),提供卓越的散热能力和电气性能。
  4. 增强的雪崩耐量和短路能力,提高了系统的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业需求。
  这些特性使IRFU3709ZPBF成为需要高效能功率转换和管理应用的理想选择。

应用

IRFU3709ZPBF广泛应用于以下领域:
  1. 消费电子中的电源适配器和充电器。
  2. 电信设备中的DC-DC转换器。
  3. 计算机及外设中的负载开关和电压调节模块。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动和控制电路。
  5. 电池管理系统中的保护和均衡功能。
  其低损耗特性和紧凑封装非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。

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IRF3709ZPBF, IRF3707ZPBF

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IRFU3709ZPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C86A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.25V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2330pF @ 15V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU3709ZPBF