您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFU330BTU

IRFU330BTU 发布时间 时间:2025/8/24 18:31:58 查看 阅读:4

IRFU330BTU 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高电流和高效率的应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高功率密度,适用于电源管理和电机控制等应用。IRFU330BTU 封装为 DPAK(TO-252),具有良好的热性能和可靠性。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):4.6A
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):150mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

IRFU330BTU 的关键特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在高电流应用中,低 RDS(on) 对于减少发热和提高可靠性尤为重要。
  此外,该 MOSFET 采用了先进的沟槽技术,提供了优异的开关性能,能够在高频工作条件下保持良好的效率。这对于需要快速开关的电源转换器和电机控制电路非常有利。
  IRFU330BTU 的 DPAK 封装设计具有良好的散热性能,使其能够在较高功率条件下稳定运行。该封装还支持表面贴装工艺(SMT),便于在现代 PCB 设计中使用。
  该器件还具有较高的热稳定性,能够在高温环境下保持可靠工作。此外,其 ±20V 的栅源电压容限提供了更大的设计灵活性,适用于多种栅极驱动电路配置。
  IRFU330BTU 适用于广泛的工业和消费类电子应用,包括电源供应器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。由于其优异的电气性能和可靠性,该器件在要求苛刻的应用中表现出色。

应用

IRFU330BTU 主要用于电源管理和功率控制领域。其典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在工业自动化设备中,该 MOSFET 可用于驱动继电器、电磁阀和小型电机。在消费类电子产品中,IRFU330BTU 可用于电池供电设备的电源管理电路,以提高能效和延长电池寿命。此外,该器件也可用于汽车电子系统中的低边开关应用。

替代型号

IRLML6401TRPBF, IRFZ44N, FDPF33N25T

IRFU330BTU推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFU330BTU参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压400 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流4.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.83 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体IPAK
  • 封装Tube
  • 下降时间50 ns
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)8 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2.5 W
  • 上升时间55 ns
  • 工厂包装数量70
  • 典型关闭延迟时间85 ns