型号：IRFU24N15D
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：150V
　　连续漏极电流Id（@25°C）：9.7A
　　脉冲漏极电流Idm：38A
　　栅源电压Vgs：±20V
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=10V）：0.22Ω
　　导通电阻Rds(on)（max @ Vgs=4.5V）：0.27Ω
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容Ciss：600pF (@ Vds=25V)
　　输出电容Coss：170pF (@ Vds=25V)
　　反向恢复时间trr：25ns
　　最大功耗Pd：70W (@ TC=25°C)
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220AB

IRFU24N15D采用英飞凌成熟的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构通过优化载流子流动路径，显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。其典型Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.22Ω，即便在较低驱动电压如4.5V下也能保持0.27Ω的良好表现，这使得它可以在多种驱动条件下稳定工作，包括由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　该器件具备优异的开关特性，输入电容和输出电容数值适中，配合较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色。这意味着它可以快速开启和关断，减少开关过程中的交越损耗，进而提高电源转换效率。这对于DC-DC变换器、开关模式电源（SMPS）等对能效要求较高的设备至关重要。
　　IRFU24N15D还具有出色的热稳定性和长期可靠性。其最大功耗可达70W（在壳温25°C时），结合TO-220AB封装良好的热传导性能，可通过外接散热片有效散发工作热量，确保长时间运行下的稳定性。此外，该MOSFET经过严格测试，具备一定的抗雪崩能力，能够承受一定程度的能量冲击而不损坏，提升了在异常工况下的鲁棒性。
　　器件的栅源电压额定值为±20V，提供了足够的安全裕度，防止因驱动信号波动导致的栅极击穿。同时，其阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了良好的开启一致性与噪声 immunity。总体而言，IRFU24N15D在性能、可靠性和易用性之间实现了良好平衡，是中功率电力电子设计中的理想选择之一。

IRFU24N15D常用于各类中高功率开关电源系统中，作为主开关或同步整流元件，尤其适合工作电压在100V以上的DC-DC升压或降压转换器。其150V的漏源耐压能力使其适用于工业电源、电信设备电源模块以及电池供电系统中的电压调节单元。在这些应用中，低Rds(on)有助于降低导通损耗，提升整体能效，满足日益严格的能源效率标准。
　　在电机控制领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，承担高速开关任务。凭借其快速的开关响应能力和较高的电流承载能力，能够实现精确的转速与方向控制，同时减少发热问题，延长系统寿命。此外，在电动工具、家用电器和自动化设备中也有广泛应用。
　　该器件还可用于逆变器和不间断电源（UPS）系统中，作为功率级的核心开关元件。在这些场合下，IRFU24N15D的高耐压和强电流能力可以支持较大的负载输出，同时其良好的热性能保证了持续运行的可靠性。另外，在LED照明驱动电源中，特别是大功率LED阵列的恒流控制电路中，该MOSFET可作为开关调节元件，实现高效稳定的光输出。
　　由于其具备较强的抗干扰能力和环境适应性，IRFU24N15D也常见于汽车电子系统中，例如车载充电器、灯光控制系统或辅助电源模块。总之，凡是需要高效、可靠且成本适中的N沟道MOSFET进行功率切换的场合，IRFU24N15D都是一个值得考虑的优选方案。

IRF540N, FQP24N15, STP24N15, NTD24N15D}}