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IRFU220BTU_AM002 发布时间 时间:2025/8/25 6:44:33 查看 阅读:5

IRFU220BTU_AM002 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率、高功率密度的应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供出色的导通电阻(Rds(on))和开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化系统等领域。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):8.3A
  导通电阻(Rds(on)):最大值80mΩ(在Vgs=10V)
  功耗(Pd):43W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:PG-TDSON(表面贴装)

特性

IRFU220BTU_AM002 采用了英飞凌的OptiMOS?技术,提供了非常低的导通电阻,从而降低了导通损耗并提高了整体效率。该器件的栅极电荷(Qg)较低,使其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。其封装设计有助于快速散热,适用于紧凑型设计的电源系统。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至20V之间的驱动电压,使其兼容多种驱动电路。同时,其具有良好的短路耐受能力,增强了在严苛工作环境下的可靠性。此外,IRFU220BTU_AM002 的封装符合RoHS环保标准,适用于现代电子设备的绿色制造要求。

应用

IRFU220BTU_AM002 主要应用于高效电源转换系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外,该器件也适用于消费类电子产品中的电源管理模块,如笔记本电脑、平板电脑和高性能电源适配器。由于其良好的高频性能和低导通电阻,该MOSFET也常用于LED照明驱动、电源管理IC(PMIC)外围电路以及汽车电子系统中的功率控制模块。

替代型号

IRLU220B, IRF7413, Si4410BDY

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IRFU220BTU_AM002参数

  • 标准包装70
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 2.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds390pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件