时间：2025/7/1 21:17:23
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IRFTS8342PBF是英飞凌（Infineon）公司推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及电池保护等场景。得益于其低导通电阻和快速开关特性，IRFTS8342PBF在高频开关应用中表现出色，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：39A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1780pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFTS8342PBF采用了先进的Trench技术，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中减少功耗。
2. 快速开关性能，适用于高频电路设计。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小尺寸TO-263封装，便于PCB布局并节省空间。
5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
IRFTS8342PBF广泛应用于需要高效能和低损耗的领域，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统
5. 电信设备中的功率转换模块
6. 工业自动化设备中的功率级开关
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