时间:2025/12/26 19:21:01
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IRFSL52N15D是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的高性能功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极和场截止技术设计,专为高效率、低损耗的电源转换应用而优化。该器件属于OptiMOS?系列,工作电压等级为150V,具备极低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,适合在高频率开关环境中运行。其封装形式为PG-HSOF-8,是一种表面贴装型的小外形封装,有助于提高PCB布局的灵活性并改善热管理性能。IRFSL52N15D广泛应用于DC-DC转换器、服务器电源、电信设备电源系统以及电池管理系统等对效率和功率密度要求较高的场合。
该MOSFET的设计注重降低总栅极电荷(QG)和输出电容能量(Eoss),从而显著减少开关过程中的能量损耗,提升整体系统能效。此外,器件内部结构经过优化,能够有效抑制寄生参数带来的不利影响,例如米勒效应引起的误触发问题,增强了在高dv/dt环境下的运行稳定性。其符合RoHS标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其出色的电气特性和热性能,IRFSL52N15D成为许多中低压大电流应用场景的理想选择之一。
型号:IRFSL52N15D
制造商:Infineon Technologies
产品系列:OptiMOS?
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDSS):150V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID) @ 25°C:52A
脉冲漏极电流(IDM):310A
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 10V:9.7mΩ
导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V:13.6mΩ
栅极电荷(QG) @ 10V:40nC
输入电容(Ciss):3420pF
输出电容(Coss):580pF
反向恢复时间(trr):35ns
工作结温范围(TJ):-55°C ~ +150°C
封装/外壳:PG-HSOF-8 (PowerSO-8)
IRFSL52N15D具备多项先进特性,使其在同类150V N沟道MOSFET中表现突出。首先,其极低的导通电阻是核心优势之一,在VGS = 10V条件下RDS(on)仅为9.7mΩ,这大幅降低了导通状态下的功率损耗,特别适用于大电流持续工作的场景,如同步整流或电机驱动电路。同时,即使在较低的栅极驱动电压(如4.5V)下,其RDS(on)也仅上升至13.6mΩ,表明该器件对驱动电路的要求较为宽松,能够在宽范围的控制信号下保持良好性能,提升了系统的兼容性与可靠性。
其次,该器件具有非常低的栅极电荷(QG = 40nC @ 10V),这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少,不仅减轻了栅极驱动IC的负担,还显著降低了开关损耗,尤其是在高频工作模式下效果更为明显。结合较低的输出电容(Coss = 580pF)和优化的内部结构,IRFSL52N15D展现出卓越的开关速度和动态响应能力,有助于实现更高的电源转换效率和更小的滤波元件尺寸。
另外,其反向恢复时间(trr = 35ns)较短,配合体二极管的快速恢复特性,可有效减少桥式拓扑中因换流引起的交叉导通风险和电磁干扰(EMI)。这对于半桥、全桥或LLC谐振变换器等复杂拓扑尤为重要。器件的工作结温可达+150°C,具备良好的高温运行能力,并通过了严格的可靠性测试,确保长期稳定运行。其PG-HSOF-8封装具有优良的散热性能,底部带有裸露焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层,实现高效热管理。整体而言,IRFSL52N15D集成了低损耗、高开关速度、强鲁棒性和良好热性能等多项优点,是现代高效电源系统中的关键组件。
IRFSL52N15D主要应用于各类高效率电源转换系统中。典型用途包括服务器和通信设备中的非隔离式DC-DC降压变换器(buck converter),特别是在多相VRM(电压调节模块)架构中作为下管或上管使用,利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。此外,它也广泛用于工业电源、嵌入式电源系统以及电池供电设备中的同步整流电路,替代传统肖特基二极管以减少导通压降和功耗。
在电动工具、无人机和便携式储能设备的电池管理系统(BMS)中,该器件可用于充放电回路的通断控制,凭借其高电流承载能力和可靠性保障系统安全。同时,由于其优异的瞬态响应性能,也适用于负载点电源(POL, Point-of-Load)设计,满足数字IC、FPGA、ASIC等对供电精度和动态响应要求较高的负载需求。此外,在太阳能微逆变器、LED驱动电源及汽车辅助电源系统中也有广泛应用前景。其表面贴装封装便于自动化生产,适用于高密度PCB布局,进一步拓展了其在紧凑型电子设备中的适用性。
IRFB4227PBF
IPD95R1K5P7
SIHH420DK