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IRFS832 发布时间 时间:2025/12/29 15:05:49 查看 阅读:12

IRFS832 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的封装技术,具备出色的导热性能和电气性能,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等应用。IRFS832 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):160A
  脉冲漏极电流(IDM):480A
  导通电阻(RDS(on)):最大值 1.75mΩ(典型值可能更低)
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PowerPAK SO-8 双面散热封装

特性

IRFS832 以其卓越的电气性能和可靠性著称。该器件具有非常低的导通电阻(RDS(on)),通常低于 1.75mΩ,这使得在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗,提高系统效率。其 N 沟道增强型结构确保了在高压和高电流条件下的稳定运行。IRFS832 采用 PowerPAK SO-8 封装,具备双面散热能力,显著提升散热效率,适用于高功率密度设计。
  该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±20V,支持标准逻辑电平驱动,便于与各种控制器或驱动电路配合使用。此外,IRFS832 在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能,可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内工作,适用于汽车电子、工业控制和高可靠性应用。
  IRFS832 的另一个显著特点是其高短路耐受能力,能够在瞬态过载或短路情况下保持器件安全,避免因电流突变而导致的损坏。该器件还具有出色的热稳定性,即使在高功耗环境下也能维持长期可靠运行。

应用

IRFS832 广泛应用于多个高功率和高效率需求的电子系统中。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)、负载开关以及各种工业自动化设备。在汽车电子领域,IRFS832 常用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)和电池保护电路中。
  由于其出色的导通性能和散热能力,IRFS832 也非常适合用于多相电源设计和高密度电源模块。在电机控制应用中,该器件可以有效减少开关损耗并提高整体系统效率。此外,在电池管理系统中,IRFS832 用于实现电池充放电控制和过流保护功能。

替代型号

SiZ882DT, SQJQ160EL, IRF6785, FDS8873

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