IRFS821 时间：2025/12/29 15:01:44 阅读：11

IRFS821 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 OptiMOS? 系列的产品之一。该器件专为高效能功率转换应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统等高效率需求的场景。IRFS821 采用 8 引脚的 PowerPAK SO-8 封装，能够在高温环境下保持良好的热性能和电气性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16 A
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：7.3 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：10 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极电荷（Qg）：19 nC @ 10 V
　　功耗（Ptot）：3.2 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8

特性

IRFS821 以其卓越的导通和开关性能而著称，是 Infineon OptiMOS? 系列中的一款高性能 MOSFET 器件。
　　首先，它的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。在 VGS = 10 V 时，其 Rds(on) 仅为 7.3 mΩ，而在 VGS = 4.5 V 时为 10 mΩ，这使得该器件在低压驱动电路中也能表现出色。
　　其次，IRFS821 具有较低的栅极电荷（Qg = 19 nC），这意味着它可以实现快速的开关转换，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件采用 PowerPAK SO-8 封装，具有良好的散热性能，确保在高电流和高温环境下依然能够稳定运行。其最大漏极电流可达 16 A，漏源电压为 30 V，使其适用于多种中低电压功率转换场景。
　　IRFS821 的栅源电压范围为 ±20 V，具有较强的抗过压能力，提升了器件的可靠性和稳定性。同时，其最大功耗为 3.2 W，在紧凑型设计中也能保持良好的热管理。
　　综上所述，IRFS821 凭借其低导通电阻、高速开关、优异的热性能和广泛的工作温度范围，成为高性能功率 MOSFET 的理想选择。

应用

IRFS821 广泛应用于需要高效功率转换和管理的电子系统中，尤其适合于高频率、高效率和紧凑型设计的需求。
　　在电源管理系统中，IRFS821 常用于同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电源分配系统。其低导通电阻和高速开关特性使其在这些应用中能够有效降低能量损耗，提高转换效率。
　　在电机控制和电源逆变器领域，IRFS821 也可作为功率开关使用，适用于小型电机驱动器、电动工具和家用电器等应用场景。
　　此外，由于其优异的热性能和稳定的电气特性，IRFS821 还可用于工业自动化设备、通信电源模块、LED 照明驱动器和消费类电子产品中。
　　总之，IRFS821 适用于各种需要高效率、小尺寸和高可靠性的功率电子系统。