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IRFS7530TRL7PP 发布时间 时间:2025/5/30 21:29:34 查看 阅读:6

IRFS7530是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及负载开关等应用领域。其封装形式为TO-252 (DPAK),能够提供出色的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:41A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:250pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

IRFS7530采用先进的Trench技术,大幅降低了导通电阻,从而提高了效率并减少了功率损耗。
  该器件的高开关速度使其在高频应用中表现出色,同时其坚固的设计能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
  此外,IRFS7530还具备较低的栅极电荷,有助于减少驱动损耗,进一步提升整体系统效率。
  其小型化的TO-252封装适合空间受限的应用场景,同时保持了良好的散热性能。

应用

该MOSFET广泛应用于开关电源(SMPS)、电机驱动电路、负载切换、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)。
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,它也常被用作同步整流器或高效率功率级开关。
  此外,IRFS7530还适用于工业控制、消费类电子设备和汽车电子系统的各种功率转换任务。

替代型号

IRLB8748PBF
  AO3402A
  FDP5500
  STP55NF06L

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IRFS7530TRL7PP参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥29.97000剪切带(CT)800 : ¥18.74945卷带(TR)
  • 系列HEXFET?, StrongIRFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.4 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)354 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12960 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)375W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-7
  • 封装/外壳TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片)