IRFS622 时间：2025/12/29 15:06:41 阅读：22

IRFS622 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高效率，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（在25°C）
　　功耗（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

IRFS622 具有极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流应用中最大限度地减少功率损耗。该器件采用先进的沟槽技术，提供更高的效率和更低的导通损耗。
　　其高电流容量和优异的热性能使其适用于高功率密度设计。此外，IRFS622 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，使其兼容多种驱动电路，如微控制器和专用驱动IC。
　　该MOSFET具有高耐用性，能够承受较高的瞬态电压和电流应力，适用于恶劣的工业环境。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　IRFS622 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定工作，确保长时间运行的可靠性。该器件通过AEC-Q101认证，适合用于汽车电子应用。

应用

IRFS622 主要用于各种功率电子系统，包括直流-直流转换器、电机控制器、电池管理系统、工业自动化设备和电源模块。由于其高效率和高可靠性，该MOSFET特别适用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电器和电池管理系统。
　　此外，IRFS622 还可用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和工业电机驱动器。其高电流容量和低导通电阻使其成为高性能电源转换系统的理想选择。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET也可用于高性能电源管理单元和高功率LED驱动电路。其快速开关特性和低损耗特性使其在高频率开关应用中表现出色，有助于提高系统效率并减小整体尺寸。