时间：2025/8/24 13:29:59
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IRFS610BFP001 是由英飞凌（Infineon Technologies）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于功率开关、DC-DC转换器、电机控制以及电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率的性能。IRFS610BFP001 的封装形式为PowerPAK SO-8，适用于表面贴装（SMT）工艺，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：13A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为12mΩ（在VGS=10V时）
功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IRFS610BFP001 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在相同尺寸下实现更低的Rds(on)成为可能。
此外，IRFS610BFP001 在高电流和高频率应用中表现出色，具有出色的热性能和耐用性。其高耐压能力（60V VDS）使其适用于多种中等电压功率转换应用，例如电源供应器、负载开关和电池管理系统。
该MOSFET还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低开关损耗，从而提高开关速度和整体效率。同时，IRFS610BFP001 支持高达175°C的工作温度，适合在高温环境下稳定运行。
封装方面，PowerPAK SO-8 封装不仅提供了良好的热管理能力，还支持表面贴装工艺，适合自动化生产流程，提升了产品的可靠性和生产效率。
IRFS610BFP001 常用于多种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）以及各种工业自动化设备中的电源控制模块。由于其低Rds(on)和高效率的特性，它在节能型电源设计中也得到了广泛应用。
Si7461DP, IRF6604, FDS6680, BSC016N04LS
