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IRFS550A 发布时间 时间:2025/12/29 15:02:23 查看 阅读:15

IRFS550A是一款由Infineon Technologies(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高性能开关应用设计,具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点。IRFS550A广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及各类功率电子设备中,适用于需要高效能和高可靠性的场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):95V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):41A
  导通电阻(Rds(on)):0.068Ω(最大值)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220AB

特性

IRFS550A的主要特性包括其低导通电阻,这使得在导通状态下功率损耗最小化,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具备高耐压能力,能够在较宽的电压范围内稳定工作,适应不同的电源设计需求。其高电流容量允许在大功率应用中使用,如高功率电机控制和电源转换系统。IRFS550A的封装形式为TO-220AB,便于安装和散热管理,确保在高功率操作下的热稳定性。
  该器件还具有良好的热阻性能,能够在高温环境下保持稳定的电气性能,延长使用寿命。此外,IRFS550A的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平,简化了与控制器的接口设计,提升了系统的灵活性和易用性。

应用

IRFS550A主要应用于电源管理系统,包括DC-DC转换器、电池充电器和电源适配器等。此外,它还广泛用于工业自动化设备中的电机驱动电路,提供高效的电机控制能力。在新能源领域,IRFS550A可用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。在消费电子领域,该MOSFET可用于高功率LED照明、UPS(不间断电源)系统以及各类高效率电源管理设备。其高可靠性和优异的电气性能也使其成为汽车电子系统中理想的功率开关器件。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, IRFS4115

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IRFS550A参数

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压100 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流21 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.04 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220F
  • 下降时间45 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散46 W
  • 上升时间20 ns
  • 典型关闭延迟时间80 ns