型号：IRFS52N15DTRRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vdss)：150V
　　连续漏极电流(Id)：52A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(Id_peak)：210A
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V, Id=26A
　　导通电阻(Rds(on))：24mΩ @ Vgs=4.5V, Id=26A
　　阈值电压(Vth)：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　输入电容(Ciss)：4390pF @ Vds=25V
　　输出电容(Coss)：1070pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间(trr)：36ns
　　二极管正向电压(Vf)：1.4V @ If=52A
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装/外壳：D2Pak (TO-263)

IRFS52N15DTRRPBF具备多项先进特性，使其在同类功率MOSFET中脱颖而出。首先，其采用的沟槽式场截止技术显著降低了导通电阻Rds(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。在Vgs=10V时，Rds(on)仅为18mΩ，在高电流应用中可有效降低发热，提高系统稳定性。同时，该器件在较低栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的Rds(on)（24mΩ），这使得它能够兼容3.3V或5V逻辑电平的控制器，增强了系统的集成灵活性。
　　其次，该MOSFET具有出色的开关性能。其输入电容Ciss为4390pF，输出电容Coss为1070pF，在高频开关应用中表现出良好的响应速度和较低的开关损耗。这对于DC-DC变换器、同步整流等高频拓扑尤为重要。此外，体二极管的反向恢复时间trr为36ns，相对较短，有助于减少反向恢复带来的能量损耗和电磁干扰（EMI），提升系统效率并简化滤波设计。
　　热性能方面，IRFS52N15DTRRPBF采用D2Pak封装，具有较大的焊盘面积，便于PCB散热设计。其最大结温可达+175°C，支持在严苛的高温环境中长期运行。同时，器件内部的热阻（RθJC）较低，确保热量能快速从结传递到外壳，避免局部过热导致失效。该器件还具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下保护自身不被击穿，增强了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，英飞凌对器件进行了严格的筛选和测试，确保其在工业级和汽车级应用中的长期稳定性。无铅、无卤素的设计也符合现代环保法规要求，适用于出口型电子产品。此外，该器件支持自动贴片安装，适用于大规模自动化生产，提升了制造效率和产品一致性。

IRFS52N15DTRRPBF广泛应用于多种中高功率电子系统中。在电源管理领域，常用于同步降压、升压及SEPIC等DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器，尤其适用于服务器电源、通信电源和嵌入式电源模块。其低Rds(on)和高电流能力使其在大电流输出场景下表现优异。
　　在电机驱动方面，该器件可用于直流电机、步进电机和BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，提供高效的功率切换能力。由于其快速的开关速度和良好的热性能，能够实现精确的PWM调速控制，并减少电机运行时的能耗和发热。
　　工业控制系统中，IRFS52N15DTRRPBF可用于继电器替代、固态开关、逆变器和UPS不间断电源等设备中，承担主功率开关角色。其高可靠性和宽温度范围使其适应恶劣的工业环境。
　　此外，该器件也可用于太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）和电动汽车车载充电机（OBC）等新能源领域。在这些应用中，器件的高效率、高耐压和良好热管理能力至关重要。其表面贴装封装也有助于实现紧凑型高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化趋势。

IPB026N15N5

call_98y1h7x2a3v