IRFS523 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用中。该器件采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻和高可靠性,适合在高效率、高密度的电源系统中使用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (Vds):100V
栅源电压 (Vgs):±20V
连续漏极电流 (Id):2.3A
导通电阻 (Rds(on)):最大 2.3Ω(@ Vgs=10V)
功耗 (Pd):1.4W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-220AB、D2PAK(表面贴装)
IRFS523 的主要特性之一是其较低的导通电阻,这使得在工作过程中能够显著降低功率损耗,提高系统效率。其导通电阻在 10V 栅极电压下最大为 2.3Ω,确保了在高电流条件下的稳定运行。
该 MOSFET 具有高耐压能力,漏源电压可达到 100V,适用于中高压电源应用。栅源电压为 ±20V,具有较强的抗过压能力,提升了器件的可靠性。
IRFS523 的连续漏极电流为 2.3A,适用于中等功率的开关和控制应用。其最大功耗为 1.4W,在高温环境下仍能保持良好的性能。
IRFS523 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于工业级和汽车级应用,能够在极端温度条件下稳定工作。
IRFS523 主要应用于电源管理系统,包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于提高转换效率并减少热量产生。在负载开关电路中,它可用于控制电源分配,防止过载和短路情况下的损坏。
此外,IRFS523 也常用于电机控制和继电器驱动,提供快速开关能力和良好的导通性能。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。
在工业自动化设备中,IRFS523 可用于控制执行器、传感器和照明系统,提供稳定且高效的功率控制解决方案。
Si4410BDY, FDS4410A, IRF523SPBF