IRFS523 时间：2025/8/25 7:18:46 阅读：26

IRFS523 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等应用中。该器件采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和高可靠性，适合在高效率、高密度的电源系统中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (Vds)：100V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：2.3A
　　导通电阻 (Rds(on))：最大 2.3Ω（@ Vgs=10V）
　　功耗 (Pd)：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220AB、D2PAK（表面贴装）

特性

IRFS523 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得在工作过程中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻在 10V 栅极电压下最大为 2.3Ω，确保了在高电流条件下的稳定运行。
　　该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压可达到 100V，适用于中高压电源应用。栅源电压为 ±20V，具有较强的抗过压能力，提升了器件的可靠性。
　　IRFS523 的连续漏极电流为 2.3A，适用于中等功率的开关和控制应用。其最大功耗为 1.4W，在高温环境下仍能保持良好的性能。　　IRFS523 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适用于工业级和汽车级应用，能够在极端温度条件下稳定工作。

应用

IRFS523 主要应用于电源管理系统，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器，用于提高转换效率并减少热量产生。在负载开关电路中，它可用于控制电源分配，防止过载和短路情况下的损坏。
　　此外，IRFS523 也常用于电机控制和继电器驱动，提供快速开关能力和良好的导通性能。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。
　　在工业自动化设备中，IRFS523 可用于控制执行器、传感器和照明系统，提供稳定且高效的功率控制解决方案。