IRFS4710TRLPBF 时间：2025/12/26 19:17:06 阅读：10

IRFS4710TRLPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的沟槽栅技术制造，适用于高效率电源转换应用。该器件属于OptiMOS?产品系列，专为优化低电压和中等电压应用中的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg）而设计，从而显著降低开关损耗和传导损耗。IRFS4710TRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET，具有优良的热性能和高可靠性，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、电源管理单元以及各类工业和消费类电子设备中。其封装形式为TO-252（DPAK），便于安装在印刷电路板上并具备良好的散热能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合现代绿色电子产品的需求。器件在高温环境下仍能保持稳定性能，工作结温范围可达-55°C至175°C，使其能够在严苛的工作条件下可靠运行。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，IRFS4710TRLPBF成为许多高密度电源系统中的理想选择。

参数

型号：IRFS4710TRLPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：34 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：136 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) @10V VGS：10 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @4.5V VGS：13 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：85 nC
　　输入电容（Ciss）：2920 pF
　　输出电容（Coss）：540 pF
　　反向恢复时间（trr）：40 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 175°C
　　封装/外壳：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装

特性

IRFS4710TRLPBF采用英飞凌专有的OptiMOS?沟槽栅工艺技术，这种先进的制造工艺能够有效降低器件的导通电阻与寄生电感，同时提升整体开关性能。该MOSFET在10V栅极驱动下可实现低至10mΩ的典型RDS(on)，这显著减少了大电流应用中的功率损耗，提高了系统的整体能效。此外，在较低的4.5V栅极电压下仍能维持13mΩ的导通电阻，使其兼容于多种逻辑电平驱动电路，包括基于PWM控制器或微处理器的栅极驱动方案。器件的栅极电荷仅为85nC，有助于减少开关过程中的驱动功耗，并加快开关速度，从而进一步降低高频开关应用中的动态损耗。
　　该器件具备出色的热稳定性与长期可靠性，得益于其优化的芯片结构与高质量封装材料，即使在持续高负载运行条件下也能保持稳定的电气性能。其高达175°C的最大工作结温允许在高温环境中使用，适用于如汽车电子、工业电源等对环境温度要求较高的应用场景。同时，TO-252（DPAK）封装不仅提供良好的机械强度，还具备优异的散热性能，可通过PCB上的铜箔进行有效热传导，无需额外散热器即可处理中等功率水平。
　　IRFS4710TRLPBF还具有较低的输出电容和输入电容，有利于减少开关瞬态过程中的能量损耗，提高电源转换效率。其反向恢复时间短（典型值40ns），配合体二极管的快速响应能力，可在同步整流拓扑中表现出色，避免因反向恢复引起的额外损耗和电磁干扰问题。此外，该器件通过了严格的AEC-Q101认证测试，表明其满足汽车级应用的可靠性标准，因此也广泛用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）等领域。

应用

IRFS4710TRLPBF广泛应用于需要高效能功率开关的各种电力电子系统中。典型应用包括非隔离式DC-DC降压（Buck）和升压（Boost）转换器，尤其适用于服务器电源、通信电源模块及笔记本电脑适配器中的同步整流电路。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率开关电源中表现优异，能够显著提升转换效率并降低温升。
　　在电机控制领域，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的驱动桥臂中，作为主开关元件实现精确的电流控制与能量回馈。其高脉冲电流承受能力（可达136A）确保在启动或过载工况下仍能安全运行。
　　此外，该MOSFET还常用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、LED驱动电源以及工业自动化设备中的电源管理单元。在汽车电子方面，它被用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换器、电池保护电路以及各类辅助电源系统，凭借其AEC-Q101认证和宽温度工作范围，展现出卓越的环境适应性与长期稳定性。