时间：2025/6/24 8:29:37
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IRFS4620PBF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用PQFN5x6封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效能、低损耗的应用场景。
该芯片广泛应用于消费电子、工业控制以及通信电源等领域，其优异的性能使其成为高效率功率转换的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：28nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：PQFN5x6
IRFS4620PBF的主要特点是其极低的导通电阻，仅为1.7mΩ，这使得它在高电流应用中能够显著降低传导损耗。
此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
得益于其先进的制造工艺，IRFS4620PBF能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适合恶劣环境下的应用。
同时，PQFN5x6封装设计紧凑，有助于节省电路板空间，提高整体设计灵活性。
该MOSFET适用于各种功率转换和管理应用，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器等。
由于其高电流承载能力和低导通电阻，IRFS4620PBF特别适合大功率密度设计，例如笔记本电脑适配器、服务器电源和电动工具中的功率级电路。
此外，在工业自动化领域，如可编程逻辑控制器（PLC）和工厂机器人驱动系统中，该器件也表现出色。
IRF7739TRPBF, AO3400A
