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IRFS4410ZTRLPBF 发布时间 时间:2025/6/5 20:39:27 查看 阅读:9

IRFS4410ZTRLPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用PowerTrench技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为PQFN3333-16,具备出色的散热性能和紧凑的尺寸,适合于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关速度:超快恢复
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:PQFN3333-16

特性

IRFS4410ZTRLPBF的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为3.5mΩ,从而显著降低传导损耗。
  2. 高效率的开关性能,栅极电荷小,仅为25nC,有助于实现高频应用。
  3. 超高工作温度范围(-55℃至175℃),适应恶劣环境下的运行需求。
  4. 小型化设计,采用PQFN3333-16封装,节省PCB空间。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
  6. 具备强大的抗浪涌能力,能够承受较大的瞬态电流冲击。
  7. 支持同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用领域。

应用

IRFS4410ZTRLPBF广泛应用于各种高效率功率转换场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. 同步整流电路,用于提升转换效率。
  3. DC-DC转换器的核心功率元件。
  4. 电机驱动器的桥臂开关。
  5. 工业自动化设备中的负载开关。
  6. 汽车电子系统中的电池管理系统和逆变器模块。
  由于其高性能和可靠性,该MOSFET特别适合需要高频开关和低功耗的应用场合。

替代型号

IRFB4410ZFPBF, IRFZ44N

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IRFS4410ZTRLPBF参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C97A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 58A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4820pF @ 50V
  • 功率 - 最大230W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)