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IRFS4010-7PPBF 发布时间 时间:2025/7/10 16:29:40 查看 阅读:8

IRFS4010-7PPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用PQFN33封装,广泛应用于需要高效功率转换和低导通损耗的场景中。它具有低导通电阻和快速开关特性,适合在高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中使用。
  IRFS4010系列以其出色的热性能和电气性能而闻名,能够承受较高的工作电流和电压,同时保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:2.6mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容:2300pF
  最大工作结温:175°C
  封装类型:PQFN33

特性

IRFS4010-7PPBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗。
  2. 快速开关速度,适用于高频应用环境。
  3. 高效散热设计,确保长时间稳定运行。
  4. 良好的短路耐受能力,提升系统可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
  此外,其优化的封装形式使其能够在有限的空间内提供更高的功率密度。

应用

这款功率MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率级。
  3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  由于其高效率和高可靠性,IRFS4010-7PPBF成为许多高性能功率应用的理想选择。

替代型号

IRF3710TRPBF, IRF3709ZPBF

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IRFS4010-7PPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C190A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 110A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs230nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds9830pF @ 50V
  • 功率 - 最大380W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件