类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　连续漏极电流（Id）：38 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：152 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：47 mΩ @ Vgs = 10 V
　　导通电阻（Rds(on)）：60 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
　　输入电容（Ciss）：2800 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：490 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：46 ns
　　功耗（Pd）：200 W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TO-252 (D-Pak)

IRFS38N20DTRPBF采用Infineon的SuperFET技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，能够显著降低导通电阻与栅极电荷之间的权衡，从而实现更高的效率和更快的开关速度。该技术通过在漂移区引入精确掺杂的P型柱结构，有效提升单位面积的载流子浓度，减小导通损耗。这种结构设计使得器件在保持高击穿电压的同时，拥有极低的Rds(on)，特别适用于高频率开关应用。
　　该MOSFET具有优异的热稳定性，其最大结温可达150°C，并配备高效的散热路径，确保在高负载条件下仍能可靠运行。TO-252封装不仅支持表面贴装工艺，还具备良好的热传导性能，可通过PCB上的铜箔进行有效散热。此外，器件的低栅极电荷（Qg）和低米勒电荷（Qsw）使其在高频PWM控制中表现出色，减少了驱动电路的功耗需求。
　　IRFS38N20DTRPBF还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载断开时承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），有助于提升系统EMI性能。同时，该器件的阈值电压范围适中，在逻辑电平驱动下也能稳定开启，兼容多种控制器输出。
　　由于采用了无铅和无卤素设计，IRFS38N20DTRPBF符合现代环保法规要求，适用于全球范围内的电子产品制造。其高度集成的特性减少了外围元件数量，简化了电路设计，降低了整体系统成本。此外，该器件经过严格的质量认证，具有高可靠性和长寿命，适合工业级和汽车级应用环境。

IRFS38N20DTRPBF广泛应用于各类需要高效能、高电压开关能力的电力电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于有源钳位正激、反激、LLC谐振变换器等拓扑结构，作为主开关或同步整流器件，以提高转换效率并减小体积。在DC-DC升压或降压转换器中，该MOSFET可用于高侧或低侧开关，尤其适用于输入电压较高的工业电源系统。
　　在电机驱动领域，IRFS38N20DTRPBF可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗切换能力，适用于自动化设备、打印机、电动工具等产品。在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中，该器件可作为DC-AC逆变桥臂的一部分，承担高频切换任务，帮助实现清洁能源的高效并网。
　　此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、电焊机、照明镇流器以及电信整流模块等高压应用场景。其高耐压和大电流能力使其成为替代传统双极晶体管或老式MOSFET的理想选择。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产和紧凑型设计，广泛用于通信基站电源、服务器电源模块及工业控制板卡中。

SPB38N20C3