类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：190A（连续）
　　导通电阻Rds(on)：1.8mΩ @ Vgs=10V, Id=95A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　输入电容（Ciss）：约7000pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：约1500pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　功耗（Pd）：250W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　安装方式：通孔（Through-Hole）

IRFS3507PBF的核心优势在于其采用的OptiMOS?沟槽技术，这项技术通过优化芯片结构，大幅降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了行业内领先的Rds(on)性能。该器件在Vgs=10V条件下测得的典型导通电阻仅为1.8mΩ，这使其在大电流应用中表现出色，显著减少I2R损耗，提升整体能效。此外，其低栅极电荷（Qg）特性进一步降低了驱动损耗，特别适合高频开关电源设计，如多相VRM（电压调节模块）或服务器电源系统。器件的输入电容和输出电容经过优化，在保证快速开关响应的同时，有效抑制了振铃和电磁干扰问题。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。TO-220封装提供了良好的散热路径，结合高达250W的功率耗散能力（在理想散热条件下），使得IRFS3507PBF能够在持续高负载下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在极端环境温度下的可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。此外，该MOSFET具备较强的雪崩能量承受能力，意味着在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中，器件能够吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的鲁棒性。
　　IRFS3507PBF还具备良好的抗短路能力和动态性能。其体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和较短的反向恢复时间（trr），减少了在同步整流或半桥拓扑中因二极管反向恢复引起的损耗和噪声。这一特性对于提高电源效率和降低EMI至关重要。此外，器件的栅极氧化层经过严格工艺控制，确保了长期使用的可靠性和稳定性，避免因栅极击穿导致的早期失效。总体而言，IRFS3507PBF凭借其低Rds(on)、低Qg、高电流承载能力和稳健的封装设计，成为现代高效能电源系统中的理想选择。

IRFS3507PBF广泛应用于需要高效率、高电流密度和高频率操作的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：直流-直流（DC-DC）转换器，尤其是在多相降压变换器中作为上管或下管使用，用于为CPU、GPU或ASIC等高性能处理器提供稳定的低压大电流供电；在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，作为主开关或同步整流元件，帮助实现更高的转换效率和功率密度。此外，该器件也常用于电机驱动电路，例如在电动工具、家用电器或工业自动化设备中驱动直流电机或步进电机，其低导通电阻有助于减少发热并延长设备使用寿命。
　　在电池管理系统（BMS）中，IRFS3507PBF可用于电池充放电控制开关或均衡电路，其高电流处理能力和低损耗特性有助于提高电池组的整体效率和安全性。同时，该MOSFET也适用于热插拔控制器、负载开关和电源分配单元，能够快速响应负载变化并提供过流保护功能。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源中，该器件同样发挥着重要作用，特别是在需要低电压大电流输出的应用中表现优异。
　　由于其出色的动态性能和可靠性，IRFS3507PBF也被用于汽车电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器和电动助力转向（EPS）系统。尽管该器件未明确标注为AEC-Q101认证，但其电气和热性能足以满足部分汽车级应用的需求，尤其在非安全关键系统中。总之，凡是有高效率功率开关需求的场合，IRFS3507PBF都是一个极具竞争力的选择。

IRL3803PBF
　　IRFB3607PBF
　　SiHHx30N30E
　　BSC010N03LS