IRFS33N15DTRPBF 时间：2025/12/26 20:32:24 阅读：16

IRFS33N15DTRPBF是一款由Infineon Technologies生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高频率的开关应用设计。该器件封装在D2PAK（TO-263）表面贴装封装中，具有低导通电阻和优良的热性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。其额定电压为150V，连续漏极电流可达33A，适用于需要高功率密度和高可靠性的系统设计。由于其优化的栅极电荷和输出电容特性，IRFS33N15DTRPBF能够在高频工作条件下实现较低的开关损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件符合RoHS标准，无铅且环保，适用于现代绿色电子产品的设计需求。器件的工作结温范围为-55°C至+175°C，具备良好的热稳定性与可靠性，可在严苛环境下稳定运行。其封装形式支持自动化装配，便于大规模生产中的贴片工艺。这款MOSFET广泛应用于工业控制、汽车电子、电信电源以及消费类电子产品中，作为关键的功率开关元件发挥重要作用。

参数

型号：IRFS33N15DTRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：33A
　　脉冲漏极电流（IDM）：110A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：40mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：58mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：3080pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：590pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：46ns
　　栅极电荷（Qg）：97nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)
　　安装类型：表面贴装型
　　通道数：单通道
　　极性：增强型N沟道

特性

IRFS33N15DTRPBF采用Infineon先进的沟槽式场效应晶体管技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，提升了整体能效表现。其40mΩ的低RDS(on)在150V耐压等级中处于行业领先水平，有助于减少传导损耗并降低温升，特别适用于大电流应用场景。器件的栅极电荷（Qg）仅为97nC，配合较低的输入和输出电容，使得在高频开关操作中所需的驱动功率更少，从而提高了电源系统的转换效率。该MOSFET具备优异的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性，适用于电机启动或感性负载切换等易产生电压尖峰的场合。其175°C的最大结温允许在高温环境中长期运行，结合D2PAK封装出色的散热性能，可通过PCB铜箔有效导出热量，提升系统可靠性。该器件还具有良好的抗短路能力和稳定的阈值电压特性，确保在不同工作条件下都能保持一致的开关行为。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（46ns），可有效减少续流过程中的能量损耗，尤其在同步整流或H桥电路中表现出色。此外，该MOSFET通过了严格的AEC-Q101车规认证，适用于汽车电子系统中的高要求应用，如电动助力转向、车载充电机和DC-DC变换器。其无卤素和符合RoHS的环保设计也满足现代电子产品对可持续发展的要求。整体而言，IRFS33N15DTRPBF在性能、可靠性和封装集成度方面达到了良好平衡，是中高压功率开关应用的理想选择。
　　

应用

IRFS33N15DTRPBF广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。在工业领域，常用于开关电源（SMPS）、服务器电源模块、UPS不间断电源以及电机驱动控制器中，作为主开关或同步整流器件。其高电流承载能力和低导通损耗使其非常适合用于48V转12V的中间母线转换器或电信设备电源系统。在新能源汽车和混合动力汽车中，该器件可用于车载充电机（OBC）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）中的预充电路或辅助电源模块。其宽温度范围和高可靠性满足汽车级应用的严苛环境要求。在消费电子方面，可用于高端台式机和笔记本电脑的VRM（电压调节模块）设计，支持处理器供电。此外，在太阳能逆变器、储能系统和LED驱动电源中，该MOSFET也能发挥其高效开关的优势。由于其表面贴装封装便于自动化生产，因此在需要大批量制造的应用中具有明显优势。其快速开关特性也适用于高频谐振变换器拓扑，如LLC半桥或全桥结构。总之，IRFS33N15DTRPBF凭借其优异的电气性能和坚固的封装设计，成为多种中高功率开关应用中的核心元器件。
　　