型号：IRFS31N20DTRRPBF
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：200 V
　　最大漏极电流（I_D @ 25°C）：14 A
　　最大漏极电流（I_D @ 100°C）：9.8 A
　　导通电阻（R_DS(on) max）：170 mΩ @ V_GS = 10 V
　　栅源阈值电压（V_GS(th)）：4 V（典型值）
　　栅极电荷（Q_g）：52 nC（典型值）
　　输入电容（C_iss）：1200 pF（典型值）
　　反向恢复时间（t_rr）：66 ns（典型值）
　　最大功耗（P_tot）：107 W
　　工作结温范围（T_j）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-252 (D2PAK)
　　导通特性：增强型
　　安装方式：表面贴装

IRFS31N20DTRRPBF 采用英飞凌成熟的 SUPERMESH? 技术，该技术通过优化器件内部的元胞结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻 R_DS(on) 并同时控制了寄生电容，实现了优异的开关性能和导通损耗之间的平衡。这种技术特别适用于高频开关电源设计，因为它能在保持低静态损耗的同时有效减少动态开关损耗。器件的 R_DS(on) 最大值仅为 170 mΩ，在同类 200V N 沟道 MOSFET 中表现出色，有助于提高电源系统的整体效率并减少散热需求。
　　该 MOSFET 具备较低的栅极电荷（Q_g 典型值为 52nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，从而降低了控制器的驱动负担，并允许使用较小的栅极驱动电阻以加快开关速度。同时，其输入电容 C_iss 典型值为 1200pF，有助于减少高频下的容性损耗。此外，该器件的反向恢复时间 t_rr 为 66ns，表明其体二极管具有较快的恢复特性，可减少在桥式电路或续流应用中的反向恢复损耗，避免因电流回流引起的电压尖峰和电磁干扰问题。
　　IRFS31N20DTRRPBF 还具备出色的热稳定性和可靠性。其 TO-252 封装提供了良好的热传导路径，可通过 PCB 上的铜箔或散热器将热量迅速导出，确保器件在高负载条件下仍能维持安全的工作温度。该器件的最大结温可达 150°C，支持严苛环境下的长期运行。此外，它经过严格测试，具备一定的雪崩能量承受能力，能够在电源异常或感性负载突变时提供额外的安全裕度，防止因瞬态过压导致的永久性损坏。这些特性共同使 IRFS31N20DTRRPBF 成为工业电源、太阳能逆变器、UPS 和电机控制等高可靠性应用的理想选择。

IRFS31N20DTRRPBF 主要应用于需要高效能和高可靠性的中等功率开关电源系统。在离线式 AC-DC 电源中，该器件常用于连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）的升压 PFC（功率因数校正）级，作为主开关管使用，帮助实现高功率因数和低谐波失真。此外，它也广泛应用于反激式、正激式或 LLC 谐振转换器中的主开关或同步整流开关位置，尤其适合 100W 至 500W 功率范围内的电源设计。
　　在 DC-DC 转换器中，例如非隔离型 Buck、Boost 或 Buck-Boost 拓扑结构中，该 MOSFET 可作为主功率开关，利用其低 R_DS(on) 和快速开关特性来提高转换效率并减小散热器体积。在电机驱动应用中，该器件可用于半桥或全桥拓扑中的低端或高端开关，驱动直流电机或步进电机，尤其适用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机控制模块。
　　此外，IRFS31N20DTRRPBF 也可用于电子镇流器、LED 驱动电源和太阳能微逆变器等新能源领域。其高耐压能力和良好的热性能使其能够在户外或高温环境中稳定工作。在 UPS（不间断电源）和电信电源系统中，该器件同样扮演着关键角色，保障电力转换过程的稳定与高效。得益于其表面贴装封装形式，该器件非常适合自动化生产线的大规模装配，提升了制造效率和产品一致性。

SPB31N20C3