时间：2025/6/24 3:39:41
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IRFS31N20DPBF 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沣道沟槽功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点。其设计主要用于高压应用场合，如电机控制、电源管理、工业逆变器等。这款 MOSFET 的最大额定电压为 200V，并且能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
由于采用了先进的制程技术，IRFS31N20DPBF 在导通损耗和开关损耗之间取得了良好的平衡，从而提升了整体系统的能效。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：7.8A
导通电阻（典型值）：0.15Ω
栅极电荷（典型值）：12nC
输入电容：420pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263
IRFS31N20DPBF 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：200V 的漏源电压使其适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为 0.15Ω，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关能力：较低的栅极电荷和输入电容使得该器件能够以高频运行，减少开关损耗。
4. 高可靠性：通过了严格的测试流程，确保在恶劣环境下的稳定性和长寿命。
5. 宽温度范围：可以在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内正常工作，适应各种极端条件。
6. 紧凑封装：TO-263 封装提供了良好的散热性能和易于安装的设计。
IRFS31N20DPBF 广泛应用于以下领域：
1. 电机驱动：包括家用电器中的直流无刷电机控制。
2. 开关电源：用于高效 AC/DC 或 DC/DC 转换器。
3. 工业设备：例如可编程逻辑控制器 (PLC) 和逆变焊机。
4. LED 照明：提供精确的电流调节和稳定的亮度输出。
5. 电池充电器：实现快速充电的同时保持高效率。
6. 电动工具：支持高功率输出和长时间运行能力。
IRFZ24N, STP75NF06L, FQP17N20
