型号：IRFS23N20DTRRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：23 A
　　连续漏极电流（Id）@100°C：15.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：92 A
　　功耗（Pd）：150 W
　　导通电阻（Rds(on)）max @ Vgs=10V：85 mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）max @ Vgs=4.5V：110 mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：2700 pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：490 pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：48 ns
　　栅极电荷（Qg）：62 nC @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab)

IRFS23N20DTRRPBF采用了英飞凌先进的TrenchStop? 5技术，这项技术通过优化垂直沟槽栅结构与超结漂移区的结合，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡。该器件在200V额定电压下仍能保持85mΩ的超低Rds(on)，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体效率。其低栅极电荷（Qg仅为62nC）和米勒电容（Crss）设计，大幅减少了驱动电路的能量需求和开关过程中的交叉导通风险，使器件在高频开关应用中表现出色，适用于高达数百kHz甚至更高的PWM控制场景。
　　该MOSFET具备优良的热稳定性，TO-263封装提供了较大的散热焊盘，能够有效将热量传导至PCB，提升功率密度的同时确保长期运行的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在严苛环境条件下稳定工作，如工业控制、户外电源设备等。此外，器件具有较强的抗雪崩能力，经过严格测试验证，能够在单脉冲雪崩条件下承受高达6.3J的能量（EAS），这使得其在面对电感负载突然断开或线路瞬态冲击时仍能保持不损坏，极大增强了系统的鲁棒性和安全性。
　　IRFS23N20DTRRPBF还具备良好的体二极管特性，其反向恢复时间较短（trr=48ns），反向恢复电荷（Qrr）较低，有助于减少开关节点的电压振铃和电磁干扰（EMI），从而降低对EMI滤波电路的要求，简化系统设计。器件符合RoHS标准且为无铅产品，支持绿色环保制造流程。其高度集成的特性无需额外复杂保护电路即可实现高效运行，是替代传统高压MOSFET的理想升级方案，尤其适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子设计。

IRFS23N20DTRRPBF广泛应用于多种高效率电力电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是用于服务器电源、通信电源和工业电源中的主开关管或同步整流器。在DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）及半桥拓扑结构中，该器件凭借其低Rds(on)和快速开关特性，可显著提高转换效率并减少散热需求。在太阳能微型逆变器和储能系统中，该MOSFET可用于直流侧开关单元，实现高效的能量转换与管理。
　　此外，它也常用于电机驱动领域，如无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）的逆变桥臂，提供快速响应和低功耗控制。在电动汽车充电设备、UPS不间断电源和焊接电源等高功率密度设备中，IRFS23N20DTRRPBF因其高耐压、大电流承载能力和优异的热性能而被广泛采用。同时，该器件适用于感应加热、照明镇流器和高频逆变器等需要频繁开关操作的应用场合。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化贴片生产线，有利于提升生产效率和产品一致性。

IPB022N20N5, IPP23N20N3, IRFSG23N20DSPBF