IRFS141 时间：2025/8/24 18:24:16 阅读：11

IRFS141 是由 Infineon Technologies 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于功率转换和电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于高效率的电源设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：100V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：16A
　　导通电阻 Rds(on)：最大 70mΩ（@ Vgs = 10V）
　　功耗 PD：最大 100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IRFS141 采用了 Infineon 的沟槽 MOSFET 技术，使得导通电阻非常低，从而降低了导通损耗。其最大导通电阻为 70mΩ，在 10V 栅极驱动电压下可实现高效的电流传输。该器件的漏极电流能力高达 16A，适用于中高功率应用。
　　此外，IRFS141 的封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，能够有效管理工作时的热量。其高栅极电压容限（±20V）提高了在高压应用中的稳定性与可靠性。
　　由于其快速的开关特性，IRFS141 在开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关等应用中表现出色。该器件还具备较高的耐用性，适用于恶劣环境下的工业和汽车电子系统。