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IRFRC20TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 13:54:55 查看 阅读:5

IRFRC20TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和其他功率管理电路。
  此器件属于 IRFRC 系列的一部分,该系列以低导通损耗和高效率著称。IRFRC20TRPBF 在高温工作环境下表现出色,并且在汽车电子和工业控制领域有广泛应用。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:17nC
  总电容(输入电容):650pF
  最大功耗:190W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用。
  3. 具备良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下表现优异。
  4. 优化的栅极驱动要求,简化了驱动电路设计。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  6. 可靠性经过严格测试,适用于恶劣环境下的应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. LED 驱动器和电池管理系统(BMS)。
  6. 通信电源及各类功率变换应用。

替代型号

IRFZ44N, FDP5802, BUZ11

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IRFRC20TRPBF参数

  • 数据列表IRF(R, U)C20PBF
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 欧姆 @ 1.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFRC20PBFTR