IRFRC20TRPBF 是一款来自 Vishay 的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和其他功率管理电路。
此器件属于 IRFRC 系列的一部分,该系列以低导通损耗和高效率著称。IRFRC20TRPBF 在高温工作环境下表现出色,并且在汽车电子和工业控制领域有广泛应用。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:18A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:17nC
总电容(输入电容):650pF
最大功耗:190W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 具备良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下表现优异。
4. 优化的栅极驱动要求,简化了驱动电路设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
6. 可靠性经过严格测试,适用于恶劣环境下的应用。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. LED 驱动器和电池管理系统(BMS)。
6. 通信电源及各类功率变换应用。
IRFZ44N, FDP5802, BUZ11