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IRFR9N20DTRPBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:40:07 查看 阅读:4

IRFR9N20DTRPBF 是一款 N 沣道晶体管,属于 HEXFET 系列。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于高频开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等应用。
  该型号采用了 D2PAK 封装形式(TO-263),具有良好的散热性能,并且其电气特性和可靠性均达到工业标准。

参数

额定电压:200V
  额定电流:9A
  导通电阻(Rds(on)):175mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  输入电容:820pF
  最大功耗:40W
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:D2PAK (TO-263)
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRFR9N20DTRPBF 具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频工作场景,适用于现代电力电子设备。
  3. 采用 D2PAK 封装,提供优秀的散热性能,能够有效提升器件的长期稳定性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  5. 可靠性高,具备出色的抗雪崩能力,能够在恶劣条件下稳定运行。
  6. 支持表面贴装技术(SMD),简化了装配过程并提高了生产效率。

应用

IRFR9N20DTRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率转换模块。
  2. 各类 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
  3. 电机控制与驱动电路中的功率级组件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换及保护电路。
  5. LED 驱动器和光伏逆变器中的功率处理部分。
  6. 消费电子产品中的电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N, IRFR2807ZPBF

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IRFR9N20DTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 25V
  • 功率 - 最大86W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9N20DTRPBF-NDIRFR9N20DTRPBFTR