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IRFR9110TRR 发布时间 时间:2025/12/23 13:38:53 查看 阅读:17

IRFR9110TRR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TOL封装形式,适用于高频开关应用以及需要高效率和低导通电阻的场景。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及良好的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:34A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:20nC
  开关速度:非常快
  封装形式:TOL

特性

IRFR9110TRR具有非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该器件具备较小的栅极电荷和输出电荷,使其在高频开关应用中表现出色。同时,其优化的热阻确保了器件在高功率密度下的稳定运行。
  该功率MOSFET还具有优异的雪崩击穿能力,能够在异常条件下提供额外的保护功能。另外,其栅极阈值电压设计合理,易于与各种驱动电路兼容,进一步增强了其易用性。

应用

IRFR9110TRR广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。由于其出色的性能,特别适合用于工业控制、通信电源、消费类电子产品的功率管理模块等场景。

替代型号

IRFZ44N
  IRLB8749PBF
  STP36NF06
  FDP5500

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IRFR9110TRR参数

  • 数据列表IRFR9110, IRFU9110
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)