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IRFR9110PBF 发布时间 时间:2025/12/23 13:38:46 查看 阅读:15

IRFR9110PBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用PQFN56封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能开关应用。其主要应用于计算机、消费类电子、工业设备以及通信领域中的DC-DC转换器、同步整流电路及负载开关等场景。
  这款MOSFET在设计时注重提升效率与减小功耗,同时具备优异的热性能和电气特性,使其成为需要高性能和高可靠性的应用的理想选择。

参数

型号:IRFR9110PBF
  类型:N沟道MOSFET
  VDS(漏源电压):40V
  RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ(典型值,在VGS=10V条件下)
  ID(连续漏极电流):83A
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.7V~4.3V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装形式:PQFN56

特性

IRFR9110PBF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达83A的连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  4. 小型化的PQFN56封装,节省PCB空间。
  5. 出色的热性能,能够有效管理热量以确保长期可靠性。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件下的使用需求。
  7. 符合RoHS标准,绿色环保无铅工艺制造。

应用

IRFR9110PBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器,如降压或升压转换器。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 计算机及服务器中的电源模块。
  5. 工业电机驱动控制。
  6. 消费类电子产品中的高效能电源管理方案。
  由于其低导通电阻和高电流承载能力,特别适合要求高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRF7739TRPBF, AO3402A

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IRFR9110PBF参数

  • 数据列表IRFR9110, IRFU9110
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.2 欧姆 @ 1.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件