时间：2025/7/12 1:18:48
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IRFR9110是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Vishay International Rectifier制造。该器件采用PQFN56封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器和电机驱动应用。IRFR9110的设计目标是为高频和低功耗应用提供卓越的性能。
这款MOSFET特别适合在注重散热性能和空间限制的应用中使用，其极低的RDS(on)能够显著减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：40V
最大连续漏电流：28A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：3.8mΩ
栅极电荷（典型值）：17nC
总电容（输入电容）：280pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFR9110具备非常低的导通电阻，这使其成为高效能应用的理想选择。其低栅极电荷和快速开关速度有助于降低开关损耗，并提升系统的整体效率。
此外，PQFN56封装具有出色的热性能，可以有效将热量从芯片传导到PCB上，确保设备在高负载条件下稳定运行。
此器件还具有优异的雪崩能力和坚固耐用的设计，能够在恶劣的工作环境下保持可靠性和稳定性。
由于采用了无铅设计并符合RoHS标准，IRFR9110还是一款环保型产品。
IRFR9110主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机控制与驱动
4. 电池管理系统（BMS）
5. 汽车电子系统中的负载切换
6. 工业自动化设备中的功率管理
该器件因其高效能和紧凑封装，在需要高性能功率开关的应用中表现出色。
IRFR9105, IRF9110TRPBF
