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IRFR9010TR 发布时间 时间:2025/7/12 1:05:02 查看 阅读:9

IRFR9010TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合高效能功率转换设计。
  IRFR9010TR 的主要特点是能够提供出色的效率和较低的功耗,适用于需要高频操作和快速开关的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:12nC
  总电容:420pF
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

IRFR9010TR 是一款高效的功率MOSFET,具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),可以显著降低传导损耗并提高整体效率。
  2. 高额定电流(18A),使其适合用于高功率应用场合。
  3. 快速开关速度,得益于其较低的栅极电荷(12nC),有助于减少开关损耗。
  4. 宽广的工作结温范围(-55℃至+175℃),确保在极端环境条件下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
  这些特性使得 IRFR9010TR 成为各种高功率密度应用的理想选择,例如汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中的功率管理模块。

应用

IRFR9010TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC转换器
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 逆变器及不间断电源(UPS)系统
  6. 各种负载开关和保护电路
  由于其强大的性能和可靠性,IRFR9010TR 在上述应用中表现出色,尤其在对效率和热管理有严格要求的情况下。

替代型号

IRFZ44N
  STP18NF06L
  FDP16N6S

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IRFR9010TR参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds240pF @ 25V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)