IRFR8203TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)制造的 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),采用 TO-247 封装形式。该器件设计用于高功率应用,能够承受较高的电压和电流,并提供低导通电阻以减少功率损耗。
这款 MOSFET 常用于开关电源、电机驱动、逆变器、DC-DC 转换器以及其他需要高效能和高可靠性的电力电子设备中。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:150A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:190nC
功耗:180W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
IRFR8203TRPBF 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中表现出色,能够有效降低传导损耗并提高整体效率。
此外,其快速开关特性和较低的栅极电荷使其适合高频开关应用。器件的高电流承载能力以及宽泛的工作温度范围确保了其在严苛环境下的稳定运行。
该 MOSFET 还具有坚固耐用的设计,可承受雪崩和反向恢复带来的应力,从而增强系统的可靠性。
IRFR8203TRPBF 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机控制与驱动
3. 逆变器
4. 工业自动化设备
5. 大功率 DC-DC 转换器
6. 电池管理系统(BMS)
其高效率和强大的电流处理能力使其成为这些应用的理想选择。
IRFB3207ZPBF, IRFP260N