IRFR5505TRRPBF 时间：2025/12/26 21:10:38 阅读：10

IRFR5505TRRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高密度电源管理应用而设计。该器件封装在D2PAK（TO-263）表面贴装封装中，具有较低的导通电阻和优秀的热性能，适合在空间受限且对散热要求较高的环境中使用。IRFR5505TRRPBF广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件符合RoHS标准，属于环保无铅产品（后缀Pb-free），适用于现代绿色电子产品设计。
　　其主要优势在于结合了高性能与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。由于采用了优化的芯片设计，IRFR5505TRRPBF能够在低栅极驱动电压下实现快速开关，从而减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的鲁棒性，适用于工业控制和汽车电子等严苛环境。

参数

型号：IRFR5505TRRPBF
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：55V
　　最大漏极电流(Id)：78A
　　导通电阻(Rds(on))：14.5mΩ @ Vgs=10V, Id=39A
　　导通电阻(Rds(on))：17.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=30A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 3.0V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　输入电容(Ciss)：约2300pF @ Vds=25V
　　封装形式：D2PAK (TO-263)
　　安装类型：表面贴装
　　通道数：单通道
　　开启延迟时间(td(on))：约15ns
　　关断延迟时间(td(off))：约35ns
　　上升时间(tr)：约30ns
　　下降时间(tf)：约20ns

特性

IRFR5505TRRPBF采用英飞凌成熟的沟槽式场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为14.5mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升电源系统的整体能效。该器件即使在低至4.5V的栅极驱动电压下也能保持较低的Rds(on)，这使其非常适合用于由逻辑电平信号直接驱动的应用，如微控制器控制的开关电路或同步整流拓扑中。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性和高脉冲电流承受能力，能够在短时间内承载高达78A的连续漏极电流，并支持更高的峰值电流，适用于突发负载或电机启动等瞬态工况。其高达+175°C的最大工作结温确保了在高温环境下的可靠运行，同时配合D2PAK封装良好的热传导特性，可通过PCB上的散热焊盘有效将热量传递出去，避免局部过热导致器件失效。
　　器件内部结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着在高频开关操作中所需的驱动功率更小，从而降低驱动电路的设计复杂度并减少动态损耗。此外，IRFR5505TRRPBF具备较强的抗雪崩击穿能力，能够耐受一定程度的能量冲击，提升了系统在异常电压波动或感性负载切换时的安全裕度。
　　该MOSFET还具备优良的体二极管反向恢复特性，虽然不如专用肖特基二极管那样快速，但在许多非严格要求超快恢复的应用中已足够使用，减少了对外部续流二极管的依赖。整体而言，IRFR5505TRRPBF凭借其高性能参数、稳健的封装设计和广泛的适用性，成为中等功率开关应用中的理想选择。

应用

IRFR5505TRRPBF被广泛用于多种电源管理和功率控制场合。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是在降压（Buck）、升压（Boost）及反激式（Flyback）转换器中作为主开关或同步整流器；DC-DC转换模块，因其低导通电阻和高效率表现，适用于服务器电源、通信设备电源单元以及嵌入式系统供电设计。
　　在电池供电系统中，例如便携式工业设备或电动工具中，该器件可用于电池保护电路或负载开关控制，实现高效的通断管理与低静态功耗。此外，在电机驱动领域，尤其是中小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，IRFR5505TRRPBF可作为上桥臂或下桥臂开关元件，提供快速响应和低损耗的电流控制能力。
　　由于其具备良好的热性能和可靠性，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的辅助电源、LED驱动模块或车载充电器等应用场景。在工业自动化设备中，常用于继电器替代、固态开关、热插拔控制器以及UPS不间断电源系统中。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模SMT工艺，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。