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IRFR48ZTRLPBF 发布时间 时间:2025/5/23 9:48:14 查看 阅读:15

IRFR48ZTRLPBF是一款由英飞凌(Infineon)制造的MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。该器件属于P沟道增强型MOSFET,主要设计用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用场合。由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够满足高效能和小型化需求的电子设备要求。
  该器件在汽车电子领域也有广泛应用,例如车身控制模块、座椅调节电路、LED驱动器等场景。

参数

最大漏源电压:-100V
  连续漏极电流:-9.2A
  栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值):60mΩ
  功耗:1.3W
  结温范围:-55℃至175℃
  封装类型:TO-252

特性

IRFR48ZTRLPBF具有低导通电阻的特点,有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,它的高雪崩能量能力和高可靠性使其适合恶劣的工作环境。这款MOSFET还具备快速开关速度,从而降低开关损耗,并支持高频操作。同时,它符合RoHS标准,适用于环保要求较高的应用领域。
  另外,IRFR48ZTRLPBF采用了先进的制造工艺,确保了稳定性和一致性,这使得它在大批量生产中表现优异。其优化的热性能也允许更高的功率密度和更小的整体解决方案尺寸。

应用

该MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电池管理、电机控制以及汽车电子系统。具体来说,它可以用来实现高效的功率转换和精确的负载控制。
  在汽车电子方面,它被用作各种控制模块中的关键元件,例如电动窗户控制器、雨刷控制系统、中央门锁系统等。此外,在工业自动化和消费类电子产品中,这款器件也能发挥重要作用。

替代型号

IRF4905,
  IXTP10N10P3,
  FDP18N10,
  BSC092N10NS3

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IRFR48ZTRLPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 37A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1720pF @ 25V
  • 功率 - 最大91W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)