IRFR48ZTR是一款由Infineon(英飞凌)生产的高压功率MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要用于高频开关应用,例如DC-DC转换器、逆变器、电机驱动和电源管理等领域。
该芯片基于先进的沟槽式MOSFET技术制造,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,能够在高电压条件下提供高效的功率转换能力。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:3.17A
导通电阻:1.5Ω
栅极电荷:19nC
开关速度:快速
封装形式:TO-252
IRFR48ZTR具备以下显著特性:
1. 高耐压能力:支持高达600V的工作电压,适用于各种高压应用场景。
2. 低导通电阻:仅为1.5Ω,在降低功耗的同时提高了效率。
3. 快速开关性能:其优化设计确保了较低的开关损耗,特别适合高频应用。
4. 良好的热性能:得益于其封装设计和材料选择,能够有效散热,从而提升系统的稳定性。
5. 可靠性高:经过严格测试,能在恶劣环境下长时间工作。
这款MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中作为高频开关元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率级开关。
4. 用于逆变器产品中,以实现高效的能量转换。
5. 电池充电管理系统中的负载切换控制。
由于其卓越的性能和可靠性,它成为众多工业设备及消费电子产品中的理想选择。
IRF640N, IRF540N