型号：IRFR460TRL
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：40V
　　最大漏极电流（ID）：19A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：76A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V, ID=9.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：36mΩ @ VGS=4.5V, ID=9.5A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=20V
　　输出电容（Coss）：470pF @ VDS=20V
　　反向恢复时间（trr）：28ns
　　开启延迟时间（td(on)）：12ns
　　关断延迟时间（td(off)）：42ns
　　封装类型：TO-252 (D-Pak)
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　安装方式：表面贴装

IRFR460TRL采用了英飞凌成熟的沟槽型MOSFET工艺，这种结构通过在硅片上刻蚀出垂直沟道来显著增加单位面积内的沟道数量，从而有效降低导通电阻RDS(on)，提高电流处理能力。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为28mΩ，在同类产品中表现出优异的导通性能，有助于减少传导损耗，提升系统能效。其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现卓越，能够实现快速开关动作并降低驱动功耗。同时，该MOSFET具备较低的输出电容（Coss），有助于减少关断过程中的能量损耗，进一步优化开关效率。
　　该器件具有出色的热稳定性，其最大工作结温可达+175°C，确保在高温环境或高负载条件下仍能安全运行。内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=28ns），可有效减少在感性负载切换过程中产生的反向恢复电荷，抑制电压尖峰，降低电磁干扰（EMI）。此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电感放电冲击，提高了系统在异常工况下的可靠性。
　　IRFR460TRL的栅极驱动电压兼容性强，可在4.5V至10V范围内正常工作，因此既适用于传统的10V驱动电路，也可用于低电压逻辑电平（如5V或3.3V）驱动的场合，扩展了其在不同电源架构中的适用性。其TO-252封装形式不仅节省PCB空间，还提供了良好的散热性能，便于通过PCB铜箔进行热传导，适合自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。

IRFR460TRL广泛应用于多种中等功率开关电路中，尤其适用于需要高效率和小尺寸设计的场合。在DC-DC转换器中，它常被用作同步整流器或主开关管，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率，降低温升，常见于笔记本电脑、路由器、机顶盒等设备的板载电源模块。在便携式电子产品中，如充电器、移动电源和LED照明驱动器中，该器件可用于电池充放电管理或恒流控制，提供稳定的功率输出。
　　在电机控制领域，IRFR460TRL可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转和调速功能，广泛应用于打印机、扫描仪、家用电器等设备中。其高脉冲电流能力（76A）使其能够应对电机启动时的瞬态大电流需求，保障系统稳定运行。此外，在热插拔控制器、负载开关和过流保护电路中，该MOSFET凭借其快速响应能力和低导通损耗，可作为理想的理想二极管或电子保险丝使用。
　　在工业自动化和通信设备中，该器件也常用于隔离式电源、冗余电源切换和分布式电源架构中，发挥其高可靠性与耐久性优势。由于其符合RoHS标准且具备良好的ESD防护能力，IRFR460TRL也适用于对环保和静电敏感要求较高的应用场景。

IRLU460S
　　IRLR460
　　FQP4605
　　FDD4605