时间：2025/8/24 20:58:55
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IRFR430BTMBLT 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效率功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适合高频操作。IRFR430BTMBLT 采用 TMB（TO-Leadless Mini B）封装，体积小、散热性能好，适用于表面贴装。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：11 A
最大漏源电压（VDS）：250 V
导通电阻（RDS(on)）：最大 0.27 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：约 14 nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TMB（TO-Leadless Mini B）
IRFR430BTMBLT 具备一系列优异的电气和热性能。其低导通电阻可减少导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，具有较高的载流能力和热稳定性。TMB 封装设计优化了散热路径，提升了器件在高功率密度应用中的可靠性。此外，它具有快速开关能力，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。IRFR430BTMBLT 还具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力条件下的工作稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计。
该器件的封装设计符合 RoHS 标准，适合现代环保要求。同时，其结构具备较高的短路耐受能力，增强了在极端工作条件下的安全性。IRFR430BTMBLT 还具备较低的输出电容（COSS），有助于减少开关损耗，提高转换效率。
IRFR430BTMBLT 主要用于各种功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其优异的热性能和小尺寸封装，它特别适合用于空间受限、要求高效率和高可靠性的应用场合，如通信电源、服务器电源、便携式设备和汽车电子系统。
IRFZ44N, IRFR420B, IRFR430B
