IRFR420TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频条件下保持良好的效率。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(典型值):1.9Ω
栅极电荷:7nC
总电容:130pF
功耗:11W
工作结温范围:-55℃至+150℃
IRFR420TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
1. 高耐压性能,最大漏源电压为500V,能够适应各种高压应用场景。
典型值仅为1.9Ω,在高电流负载下可以减少功耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性,得益于其较小的栅极电荷(7nC),可有效降低开关损耗。
4. TO-263封装形式,提供良好的散热性能,适合高功率密度设计。
5. 工作温度范围宽广,支持从-55℃到+150℃的极端环境条件,适用于工业级和汽车级应用。
IRFR420TR广泛应用于以下领域:
1. 开关电源和DC-DC转换器中作为主开关管使用。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 负载开关和保护电路中的电子开关。
4. 各种电力电子设备中的功率管理模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换部件。
IRFR4210, IRF540N, STP12NF50