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IRFR420TR 发布时间 时间:2025/5/22 20:07:00 查看 阅读:20

IRFR420TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-263封装,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用场合。它具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,能够在高频条件下保持良好的效率。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):1.9Ω
  栅极电荷:7nC
  总电容:130pF
  功耗:11W
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRFR420TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
  1. 高耐压性能,最大漏源电压为500V,能够适应各种高压应用场景。
  典型值仅为1.9Ω,在高电流负载下可以减少功耗并提高系统效率。
  3. 快速开关特性,得益于其较小的栅极电荷(7nC),可有效降低开关损耗。
  4. TO-263封装形式,提供良好的散热性能,适合高功率密度设计。
  5. 工作温度范围宽广,支持从-55℃到+150℃的极端环境条件,适用于工业级和汽车级应用。

应用

IRFR420TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源和DC-DC转换器中作为主开关管使用。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 负载开关和保护电路中的电子开关。
  4. 各种电力电子设备中的功率管理模块。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和信号切换部件。

替代型号

IRFR4210, IRF540N, STP12NF50

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IRFR420TR参数

  • 数据列表IRFR420, IRFU420
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)