时间：2025/8/24 12:18:12
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IRFR420TM 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高频率开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器以及各种功率电子设备中。IRFR420TM 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，能够在高频率下高效运行。该器件采用 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和 PCB 安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：1.3 A
最大漏源电压（VDS）：900 V
最大栅源电压（VGS）：±30 V
导通电阻（Rds(on)）：2.5 Ω @ VGS = 10 V
栅极电荷（Qg）：15 nC
输入电容（Ciss）：60 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-252（DPAK）
IRFR420TM 具有以下主要特性：
1. 高电压能力：该 MOSFET 的最大漏源电压为 900V，适用于高压开关电路，例如开关电源和高压电机控制应用。
2. 低导通电阻：Rds(on) 为 2.5Ω，降低了导通损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关性能：由于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），IRFR420TM 可以在高频下工作，适用于高频 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
4. 高可靠性：采用了先进的沟槽技术，提高了器件的耐用性和热稳定性。
5. 宽栅源电压范围：±30V 的 VGS 范围允许使用多种驱动电路，提高了设计的灵活性。
6. 热保护性能：TO-252 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能稳定运行。
7. 环境适应性强：工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适用于工业和汽车电子等苛刻环境。
IRFR420TM 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的高压开关元件，提高电源转换效率。
2. 电机控制：用于控制小型电机的驱动电路，特别是在需要高频开关的场合。
3. 电池管理系统：适用于高压电池充电与放电控制电路。
4. LED 驱动器：在高电压 LED 照明系统中作为开关元件使用。
5. 工业自动化：用于 PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源模块中。
6. 消费类电子产品：如高压风扇控制、电源适配器和智能家电中的功率控制部分。
7. 汽车电子：用于车载充电器、LED 灯具控制和其他高压低电流应用场景。
IRF740、IRF840、IRFR320、IRFR430
