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IRFR420PBF 发布时间 时间:2025/5/7 13:24:08 查看 阅读:12

IRFR420PBF 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET),由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产。它属于逻辑电平驱动 MOSFET,适用于高效率开关应用和功率转换电路。
  该器件采用 TO-263 封装形式,具有低导通电阻和较高的电流处理能力,同时支持快速开关特性。其典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理和逆变器等。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:0.09Ω
  栅极电荷:17nC
  开关时间:开启 85ns / 关闭 23ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRFR420PBF 的主要特点如下:
  1. 高效的逻辑电平驱动设计使其可以直接由微控制器或逻辑电路驱动,无需额外的驱动级放大。
  2. 具有非常低的导通电阻 Rds(on),能够有效减少导通损耗并提高系统效率。
  3. 较高的电流承载能力和稳健的热性能,适合用于高功率密度的应用环境。
  4. 快速的开关速度减少了开关损耗,并提升了高频工作的性能表现。
  5. 完善的封装结构提供良好的散热性能,有助于在高负载条件下保持稳定的运行状态。
  6. 可靠性高,具备过流保护功能以及短路耐受能力。

应用

IRFR420PBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动控制。
  3. 各类电子。
  4. 不间断电源 (UPS) 和太阳能逆变器中的功率转换模块。
  5. 电信和服务器电源中要求高效能与稳定性的场景。
  由于其出色的性能和可靠性,该器件成为许多需要高功率密度和低能耗解决方案的理想选择。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N

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IRFR420PBF参数

  • 数据列表IRFR420, IRFU420
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3 欧姆 @ 1.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件