IRFR420ATF 时间：2025/8/24 16:13:08 阅读：23

IRFR420ATF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和马达控制。IRFR420ATF 采用先进的沟槽技术（Trench Technology），提供较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，使其适用于要求高性能和高可靠性的工业和汽车应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：3.4A（@Tc=100℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.63Ω @ Vgs=10V
　　导通阈值电压（Vgs(th)）：1.1V ~ 2.5V
　　最大功耗（Pd）：25W
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

特性

IRFR420ATF 具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻，使其在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该 MOSFET 使用先进的沟槽式制造工艺，使得其在高频开关应用中表现出良好的动态性能，包括较低的开关损耗和较快的上升/下降时间。此外，IRFR420ATF 具有较高的栅极耐压能力（±20V），增强了在复杂电磁环境中工作的稳定性。其 TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的热性能，还支持表面贴装（SMD），适用于自动化生产流程。该器件还具有良好的热稳定性和雪崩能量承受能力，能够在恶劣的工业和汽车环境下可靠运行。
　　此外，IRFR420ATF 在设计上优化了寄生电容（Ciss、Coss 和 Crss），从而减少了高频工作时的开关损耗，提升了整体的能效表现。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的负担，使其适用于高频率的开关电源设计。该器件的耐受短路和过载能力也较强，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，从而提高了系统的可靠性和稳定性。这些特性共同使得 IRFR420ATF 成为一款适用于多种高效率功率转换应用的理想选择。

应用

IRFR420ATF 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效率和高频操作的场合。例如，在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可作为主开关或同步整流器，用于提升转换效率并减小系统体积。在电机驱动和负载开关电路中，IRFR420ATF 可以实现对负载的高效控制，并提供良好的过载保护能力。此外，该器件也适用于工业自动化设备、LED 照明驱动、电池管理系统以及车载电子系统中的功率控制部分。其优异的热性能和高频响应能力使其在高密度电源模块和嵌入式系统中具有广泛的应用前景。