时间：2025/7/12 1:09:57
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IRFR4105ZTR 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于直流电机驱动、开关电源、负载切换等应用领域。
这款 MOSFET 的设计旨在提供高效能和高可靠性，同时它的封装形式使其易于集成到各种电路设计中。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：23A
导通电阻：3.8mΩ
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRFR4105ZTR 具有非常低的导通电阻，仅为 3.8mΩ，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，其快速的开关性能使得它在高频应用中表现优异。该器件还具备良好的热稳定性，在较高的温度范围内也能保持稳定的工作状态。
TO-263 封装为表面贴装类型，允许高效的散热管理和更小的 PCB 占用面积。这种设计特别适合需要紧凑布局的应用场景。
IRFR4105ZTR 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机控制和驱动
4. 负载切换
5. 电池管理系统
由于其出色的电气特性和热管理能力，它非常适合要求高性能和高可靠性的工业及消费类电子产品。
IRFZ44N, FDP5802, AO4404A
